電動(dòng)車充電器是專門為電動(dòng)自行車的電瓶配置的一個(gè)充電設(shè)備，常用的開關(guān)電源式充電器分半橋式和單激式兩大類，單激類又分為正激式和反激式兩類。半橋式成本高，性能好，常用于帶負(fù)脈沖的充電器；單激式成本低，市場占有率高，目前市場的充電器多為反激式。

       新潔能的Super-Junction Gen.3系列產(chǎn)品具有更快的開關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗、極低的柵極電荷（Q_g），從而降低了器件的功率損耗，提高系統(tǒng)效率。又由于采用了自主創(chuàng)新技術(shù)，優(yōu)化了器件的開關(guān)特性，器件在系統(tǒng)中具有更好的EMI表現(xiàn)。同時(shí)，新潔能超結(jié)MOSFET具有良好的魯棒性，是充電器高效率、高可靠性的解決方案。

PFC ：

SJ-III MOSFET：V_DS=650V-700V  R_{on@10V（max）}=260mΩ-680mΩ

反激：

SJ-III MOSFET：V_DS=650V-700V  R_{on@10V（max）}=260mΩ-680mΩ  

       在電動(dòng)車市場中，輕型電動(dòng)車（電動(dòng)二輪車、電動(dòng)三輪車、電動(dòng)踏板車）這個(gè)細(xì)分領(lǐng)域的重要性日趨顯著。輕型電動(dòng)車作為人們?nèi)粘Ｉ畹拇焦ぞ?，有著投資與運(yùn)行維護(hù)成本低的優(yōu)點(diǎn)，符合大部分消費(fèi)者的預(yù)算要求。同時(shí)，它能夠通過標(biāo)準(zhǔn)電網(wǎng)進(jìn)行充電，上述特點(diǎn)使它成為了短距離代步工具。在未來幾年，輕型電動(dòng)車數(shù)量將井噴式增長。但是，用戶對(duì)續(xù)航里程的焦慮也是日趨顯著，如何優(yōu)化系統(tǒng)成本和效率，成為當(dāng)下急需解決的難題。

       新潔能Normal Trench MOSFET系列&Super Trench MOSFET系列，在保持合理的功耗下將高能效發(fā)揮到極致，全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性。特別地，Super Trench技術(shù)為您帶來了更低的導(dǎo)通損耗以及更好的開關(guān)特性，如今第二代SGT產(chǎn)品較第一代產(chǎn)品綜合性能提升20%以上，使您獲得更高的效率。同時(shí)，如果您比較關(guān)注成本的話，也可以選擇Normal Trench MOSFET系列，來獲取更高的性價(jià)比。

N-channel Trench MOSFET：V_DS=60V-100V    R_{on@10V（max）}<8mΩ

N-channel SGT-II MOSFET&N-channel SGT-I MOSFET：V_DS=60V-100V  R_{on@10V（max）}<8mΩ

IC：柵極驅(qū)動(dòng) IC

       電動(dòng)車轉(zhuǎn)換器能將電動(dòng)車電池的高壓電轉(zhuǎn)換成系統(tǒng)需要的12V低壓電，在電動(dòng)車上使用的通常為非隔離式降壓方案。由于轉(zhuǎn)換器工作在相對(duì)密閉的環(huán)境中，發(fā)熱對(duì)系統(tǒng)穩(wěn)定性至關(guān)重要，從而對(duì)轉(zhuǎn)換器能效有著很高要求，整個(gè)系統(tǒng)運(yùn)行中，功率器件本身的低損耗尤為關(guān)鍵。

       新潔能Normal Trench MOSFET系列&Super Trench MOSFET系列，在保持合理的功耗下將高能效發(fā)揮到極致，全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，并改良了體二極管反向恢復(fù)特性。尤其是，Super Trench技術(shù)全面提升了產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻溫度特性，有效控制了器件導(dǎo)通電阻隨溫度增加而上升的幅度，以100V產(chǎn)品為例，對(duì)比普通溝槽型MOSFET產(chǎn)品，Super Trench技術(shù)將器件175度下的導(dǎo)通電阻 倍增因子由原有的2.29降低為2.09,從而顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性。Super Trench MOSFET產(chǎn)品將更適宜于高溫嚴(yán)酷環(huán)境下的應(yīng)用。

N-channel Trench MOS：V_DS=100V-120V     R_{on@10V（max）}=16mΩ-32mΩ

N-channel SGT Gen.2 MOS&N-channel SGT Gen.1 MOS：V_DS=100V-120V  Ron@10V（max）=8.5mΩ-23mΩ